“삼전·하닉 뛰어넘어”…日키옥시아 ‘기판 접합’ 기술 자신감

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닛케이, 키옥시아 CBA 기술 집중 조명“경쟁사보다 기술 우위, 속도 최대 30%↑”M/S는 여전히 저조…올들어 주가 500%↑ [이데일리 김윤지 기자] 일본 낸드플래시 메모리 제조사 키옥시아의 실적이 성장하는 가운데 경쟁사 보다 먼저 상용화된 고성능 제품들이 수주를 끌어올리고 있다고 2일 니혼게이자이(닛케이)신문이 보도했다. 키옥시아 주가는 올 들어 500% 넘게 올랐다. 키옥시아의 한 기술자는 “낸드형 플래시 메모리의 미래 가능성을 믿고 선행 투자를 해왔다. 경쟁사와 비교해 압도적인 우위가 있다”며 삼성전자(005930) 등과 비교해 자사의 우위에 자신감을 보였다고 닛케이는 전했다. 키옥시아. (사진=AFP) 데이터를 장기 저장하는 낸드는 기억용량을 높이기 위해 메모리셀(memory cell·기억소자)을 수직으로 쌓아 올리는 기술이 그동안 핵심이었다. 기억소자를 적층하는 기술은 2007년 키옥시아의 전신인 도시바가 세계 최초로 개발에 성공했다. 적층 기술의 원조라고도 할 수 있는 키옥시아지만 최근에는 적층 수 경쟁에서 열세라는 지적을 받아왔다. 키옥시아는 2023년 적층 수가 218단인 제품 개발에 성공했다고 발표했다. SK하이닉스(000660)는 같은 해 300단을 넘는 제품 개발을 공개했다. 키옥시아의 주력 제품은 현재도 218단에 머물러 있다. 이에 키옥시아는 단순히 단수를 높이는 적층 수 경쟁에서 벗어나 효율 중심의 ‘접합’ 기술을 택했다. 낸드는 정보를 저장하는 메모리셀뿐 아니라 데이터 입출력을 제어하는 회로를 함께 조합해 구성된다. 지금까지는 메모리셀과 제어회로가 기판이 되는 한 장의 실리콘 웨이퍼 위에 형성돼 왔다. 키옥시아의 접합 기술인 CBA(CMOS Bonded to Array)는 메모리셀과 제어회로를 일단 각각 별도의 웨이퍼 위에 형성한 뒤 나중에 두 장의 웨이퍼를 맞붙이는 방식이다. 웨이퍼 위의 메모리셀 등의 배치를 효율화할 수 있어 낸드의 저장 밀도를 높일 수 있다. 두 장의 웨이퍼를 오차 없이 맞붙이고, 두 층의 회로를 연결하는 정밀 기술은 고난도 기술로, 키옥시아는 이 부분에서 경쟁사에 앞서 상용화에 성공했다. 이와이코스모증권의 사이토 가즈요시 선임 애널리스트는 “키옥시아의 제품은 읽기·쓰기 속도가 경쟁사와 비교해 20~30% 빠르다”고 말했다. 키옥시아가 2023년 말 CBA 기술을 발표했을 당시 업계에서는 “적층 수를 높이는 것이 정공법”이란 냉담한 의견도 있었다. 인공지능(AI)용으로 낸드의 처리 속도가 중요해지면서 고속 처리에 적합한 CBA가 주목을 받게 됐다. CBA는 이미 주력 제품에 사용되고 있다. 닛케이는 “삼성전자 등 경쟁사들이 AI 붐 초기에 수요가 커진 디램에 투자를 집중하면서 낸드 기술 개발이 늦어진 점도 키옥시아에는 순풍이 되고 있다”며 “낸드 전문으로 연구개발을 추진해온 키옥시아의 노력이 성과를 내기 시작했다”고 평가했다. 과제는 정체된 점유율이다. 대만 조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 상반기 낸드 시장에서 키옥시아의 점유율은 13.9%로, 3위에 머물렀다. 1위는 삼성전자(31.6%), 2위는 SK하이닉스(17.6%)가 차지했으며, 미국 마이크론테크놀로지(13.9%), 미국 샌디스크(13.9%)가 키옥시아를 바짝 추격했다. 닛케이는 키옥시아의 데이터센터 고객 기반이 약하고, 가격 인상이 충분히 반영되는 속도가 늦었던 점을 지적했다. AI용 낸드 수요가 급증한 것이 2025년 가을 이후였기 때문에 키옥시아의 신기술에 대한 성능 평가가 따라오지 못했다는 것이다. 닛케이는 “삼성전자와 SK하이닉스는 공급 능력을 무기로 고객들과 장기 계약을 맺고 있어 단기적으로 점유율을 탈환하기는 쉽지 않다”며 “키옥시아의 점유율을 반전시키기 위해서는 첨단 기술을 바탕으로 데이터센터 고객을 확보해 나갈 필요가 있다”고 짚었다. 김윤지 ([email protected]) Copyright © 이데일리. 무단전재 및 재배포 금지.

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